三安光电氮化镓芯片项目荣膺国家科技进步一等奖。

据公司透露，三安光电（600703.SH）全资子公司厦门市三安集成电路有限公司与西安电子科技大学等机构合作的“高能效超宽带氮化镓功率放大器关键技术及其在5G通信领域的产业化应用”项目荣获国家级科技大奖——国家科学技术进步奖一等奖。该项目成功解决了氮化镓射频功放芯片在大规模5G通信应用中的技术难题。在项目中，三安集成负责氮化镓功率放大器核心技术的研发和商业化生产，自主研发了工艺平台，共同攻克了5G基站所需宽带、高效和高线性度的功率放大器核心技术，形成了具有自主知识产权的解决方案，并通过实际应用验证，实现了在终端市场的稳定大批量供货。
公司副董事长林志东是该项目的重要贡献者。他强调，高性能射频功率放大器对于移动通信至关重要，5G时代对其带宽、能效和线性度的需求日益增长，传统硅基或砷化镓材料的射频芯片无法满足这些要求。氮化镓，作为第三代半导体材料，拥有优于传统硅基器件的高频性能，被认为是5G基站功放的理想选择。
在项目研发过程中，三安集成自主研发了氮化镓功率放大器芯片生产工艺，并通过严格测试，实现了在5G通信领域的商业化应用。作为全球通信基站供应商的重要一环，据估算，三安集成占据了全球约20%的市场份额。根据中国信通院数据，截止2023年10月，中国已部署5G基站超过321.5万个，预计2023年将为经济带来1.86万亿元直接产值和4.24万亿元间接产值。
这是三安光电继2020年凭借“高光效长寿命半导体照明关键技术及产业化”项目后再次荣膺国家科技进步一等奖。对此，林志东表示，这一成就得益于三安光电在化合物半导体研发和规模化生产方面的深厚积累，公司始终紧跟国家信息通信市场规划，与高校紧密合作，同时积极投入前瞻性技术研发，以期在关键领域取得突破。
对于未来，林志东表示，三安光电将持续关注客户的核心需求和科技发展趋势，进行前瞻性的研发，探索新材料和新工艺。同时，公司将进一步推动数字化和智能化技术与芯片制造的深度融合，优化生产线，提升产品质量，降低成本，增强企业的核心竞争力。