国有六大商业银行已承诺出资超过一千亿元人民币，而国家大基金的第三期可能会将这些资金着重投入到一系列关键项目中。

日前，国家集成电路产业投资基金三期（简称“国家大基金三期”）正式成立，注册资本高达3440亿元，超越前两期规模。受此消息影响，5月27日，A股半导体产业链全面活跃，涉及光刻机、半导体材料和先进封装等领域。同一天，中国银行、建行、农行、邮储银行等纷纷宣布向国家大基金三期出资。据半导体行业专家透露，国家大基金三期有望继续投资于半导体产业链的关键环节，如大型制造、设备和材料，同时也会关注人工智能半导体领域，如HBM产业。 对比分析，国家大基金三期呈现出四大特征：一是换帅，法定代表人变更为张新，他来自工业和信息化部，曾就第三代半导体产业进行调研并提出政策建议；二是股东结构调整，银行成为主要出资者，且地方国有资本集中在京、粤等地；三是具有较长的运营周期，计划持续15年，至2039年；四是投资方向调整，聚焦集成电路全链条，特别是大型制造和关键技术环节，如HBM。 值得注意的是，国家大基金三期在股东构成上，虽然减少了产业投资机构的出资额，但引入了新的大型央企投资者，如华润资本。此外，虽然具体投资项目尚未完全确定，但预计会加大对算力芯片和存储芯片，尤其是HBM等高价值DRAM芯片的投资力度。 目前，中国大陆在HBM领域尚处于初级阶段，但已有一些企业在材料、分销和封装等方面有所参与。总体来看，每期国家大基金都有其特定的重点，一期侧重于制造，二期则着重于设备和材料的上游，包括刻蚀机、薄膜设备等。未来，国家大基金三期将继续推动半导体产业的发展，尤其是在关键技术和薄弱环节上。